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Senis磁场传感器F3B
- 品 牌：Senis
- 型 号：F3B
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技术资料：
Senis磁场传感器F3B.pdf
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产品介绍
F3B 代表 SENIS 系列磁场-电压转换器，该系列产品配备了完全集成的三轴霍尔探头。
所采用的霍尔探头内置CMOS集成电路，其中包含三组相互正交的霍尔元件、偏置电路、放大器以及温度传感器。
集成式霍尔元件占用面积极小（0.15 × 0.15 mm²），从而为探头提供了更高的空间分辨率。
性能特点
全集成CMOS三轴霍尔探头（Bx、By、Bz），可使用其中一个、两个或三个通道。
很高的空间分辨率：By：0.03 × 0.005 × 0.03 毫米³；Bx 和 Bz：0.15 × 0.01 × 0.15 毫米³
高角度精度：探头三个测量轴之间的正交误差小于1°，通过应用经过显著优化的测量算法，其测定精度优于0.1°。
高频带宽（-3 dB）：max直流至25 kHz。
极低的平面霍尔电压
探头内置温度传感器，用于温度补偿。
探头上的感应环路可忽略不计，等等。
技术参数
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产地 |
瑞士 |
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直流测量精度 @B< ±BLR |
高< 0.1 % < 0.5 % |
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低< 1 % |
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在直流场中以满量程的百分比进行测量。 |
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输出电压 |
差分（±10 V @ ±BFS） |
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灵敏度公差 (Serr) @B < ±BLR |
高< 0.03 % < 0.2 % |
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低< 0.3 % < 0.5 % |
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非线性（NL）@ B < ±BLR |
高< 0.05 % < 0.2 % |
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低< 0.2 % < 0.5 % |
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平面霍尔电压 (Vplanar) @ B < ±BLR |
< Vnormal 的 0.01 % |
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灵敏度的温度系数 |
< ±100 ppm/°C (0.01 %/°C)（@ 温度范围 |
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灵敏度的长期稳定性 |
10年内 < 1 % |
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偏移量（@ B = 0 T） |
< ±0.1 mT < ±0.3 mT < ±0.6 mT < ±2 mT（@ 温度范围：(25 ± 10) °C） |
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偏移温度系数 |
< ±0.002 mT/°C < ±0.005 mT/°C < ±0.05 mT/°C < ±0.4 mT/°C |
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输出噪声 |
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1/f 噪声谱密度 @ f = 1 Hz |
< 1 µT/Hz¹/² < 2 µT/Hz¹/² < 7 µT/Hz¹/² < 40 µT/Hz¹/² （1/f 噪声区域） |
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截止频率 (fC) |
~10 Hz （此时 1/f 噪声 = 白噪声） |
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噪声谱密度 @ f > fC |
0.7 µT/Hz¹/² 0.8 µT/Hz¹/² 2 - 3 µT/Hz¹/² 16 µT/Hz¹/² （白噪声区域） |
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输出阻抗 |
< 1 kΩ，短路保护 |
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直流功耗 |
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电压 |
24 V（标称值），±2 % |
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max纹波 |
100 mVpp |
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电流 |
≈ 0.12 A |
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工作温度 |
(+5, +45) °C |
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存储温度 |
(-20, +85) °C |
产品应用
永磁体的特性分析与质量控制。
磁体系统的开发。
真实的3D磁场成像。
磁体系统（发电机、电动机等）的质量控制与监测。
在实验室和生产线等场景中的应用。
津公网安备12010102000945号
