Opto Diode 的近红外 (NIR) 高功率 LED 专为需要准确、高输出红外照明的苛刻应用而设计。这些器件在 700 至 1300 nm 范围内发光,具有优良的辐射测量性能、光谱稳定性和长工作寿命。我们的高功率近红外 LED 单芯片输出功率高达 250 mW (DC),多芯片阵列输出功率高达 1000 mW (DC),是夜视、监控、工业传感和其他关键任务系统的适配之选。我们提供标准和定制配置,以满足您对波长、输出和封装的确切要求。
宽温度额定值
2 引线 TO-39 封装
高温工业应用的适配选择
隔离外壳
符合 RoHS 和 REACH 规范
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产地 |
美国 |
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25 ℃ 时的电光特性 |
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总输出功率,Po IF = 500 mA |
60 至 120 mW |
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峰值发射波长,λP IF = 50 mA |
880 nm |
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50% 时的光谱带宽,Δλ IF = 50 mA |
55 nm |
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半强度光束角,θ IF = 50 mA |
110 ° |
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正向电压,VF IF = 500 mA |
1.75 至 2 V |
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反向击穿电压,VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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上升时间 |
20 nsec |
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下降时间 |
20 nsec |
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25 ℃ 外壳温度下的Max额定值 |
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功率耗散 |
1000 mW |
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连续正向电流 |
500 mA |
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峰值正向电流(10 µs,200 Hz) |
1.5 A |
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反向电压 |
5 V |
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引线焊接温度(距外壳 1/16 英寸,10 秒) |
260 ℃ |
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热参数 |
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存储和工作温度范围 |
-65 至 150 ℃ |
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Max结温 |
150 ℃ |
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热阻,RTHJA |
150 ℃/W 典型值 |
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热阻,RTHJC |
60 ℃/W 典型值 |

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