OPTO DIODE红外发射器OD-850W

品　　牌：OPTO DIODE
型　　号：OD-850W
技术资料： OPTO DIODE红外发射器OD-850W.pdf
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产品介绍

Opto Diode 的近红外 (NIR) 发射器专为关键任务应用中的高输出性能、光谱精度和长期可靠性而设计。我们的近红外器件具有窄带宽和从 700 到 1300 nm的波长范围，可支持从机器视觉、工业自动化到航空航天系统等各种应用。每个发射器都能提供同辐射输出和良好的热稳定性，因此更适合集成到需要高信噪比、准确光学控制和长工作寿命的系统中。

性能特点

高光学输出

850 nm 峰值发射

密封式 TO-46 封装

发射角宽，可覆盖较大区域

技术参数

产地	美国
25 ℃ 时的电光特性
总输出功率，P_o I_F = 100 mA	30 至 40 mW
峰值发射波长，λ_P I_F = 20 mA	850 nm
50% 时的光谱带宽，Δλ I_F = 20 mA	40 nm
半强度光束角，θ I_F = 20 mA	70 至 80 °
正向电压，V_F I_F = 100 mA	1.6 至 2 V
反向击穿电压，V_R I_R = 10 µA	5 至 30 V
上升时间 I_FP = 50 mA	20 nsec
下降时间 I_FP = 50 mA	20 nsec
25° 时的Max额定值
功率耗散	200 mW
连续正向电流	100 mA
峰值正向电流（10 µs，200 Hz）	300 mA
反向电压	5 V
引线焊接温度（距外壳 1/16 英寸，10 秒）	260 ℃
＞ 25 ℃	线性降低
热参数
存储和工作温度范围	-40 至 100 ℃
Max结温	100 ℃
热阻，R_THJA1	400 ℃/W 典型值
热阻，R_THJA2	135 ℃/W 典型值

产品尺寸

产品应用

工业检测与分拣、航空航天、科学研究、仪器仪表