Opto Diode 的近红外 (NIR) 高功率 LED 专为需要准确、高输出红外照明的苛刻应用而设计。这些器件在 700 至 1300 nm 范围内发光,具有优良的辐射测量性能、光谱稳定性和长工作寿命。我们的高功率近红外 LED 单芯片输出功率高达 250 mW (DC),多芯片阵列输出功率高达 1000 mW (DC),是夜视、监控、工业传感和其他关键任务系统的适配之选。我们提供标准和定制配置,以满足您对波长、输出和封装的确切要求。
高功率输出
880 nm峰值发射
三个芯片串联
TO-66 接头具有良好的散热性
功率输出测试
电气隔离外壳
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产地 |
美国 |
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25 ℃ 时的电光特性 |
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总输出功率,Po IF = 300 mA |
150 至 170 mW |
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总输出功率,IF = 8 A |
3500 mW |
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峰值发射波长,λP IF = 50 mA |
880 nm |
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50 % 时的光谱带宽,Δλ IF = 50 mA |
80 nm |
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半强度光束角,θ IF = 50 mA |
120 ° |
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正向电压,VF IF = 300 mA |
4.5 至 5 V |
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反向击穿电压,VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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电容,C VR = 0 V |
30 pF |
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上升时间 |
1 µsec |
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下降时间 |
1 µsec |
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25 ℃ 外壳条件下的Max额定值 |
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功率耗散 |
2 W |
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连续正向电流 |
400 mA |
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峰值正向电流(10 µs,400 Hz) |
8 A |
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反向电压 |
5 V |
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引线焊接温度(距外壳 1/16 英寸,10 s) |
260 ℃ |
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热参数 |
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存储和工作温度范围 |
-55 至 100 ℃ |
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Max结温 |
100 ℃ |
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热阻,RTHJA1 |
60 ℃/W 典型值 |
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热阻,RTHJA2 |
16 ℃/W 典型值 |

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