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OPTO DIODE照明器OD-663

产品介绍

Opto Diode 的近红外 (NIR) 高功率 LED 专为需要准确、高输出红外照明的苛刻应用而设计。这些器件在 700 至 1300 nm 范围内发光,具有优良的辐射测量性能、光谱稳定性和长工作寿命。我们的高功率近红外 LED 单芯片输出功率高达 250 mW (DC),多芯片阵列输出功率高达 1000 mW (DC),是夜视、监控、工业传感和其他关键任务系统的适配之选。我们提供标准和定制配置,以满足您对波长、输出和封装的确切要求。

性能特点

高功率输出

880 nm峰值发射

三个芯片串联

TO-66 接头具有良好的散热性

功率输出测试

电气隔离外壳

技术参数

产地

美国

25 ℃ 时的电光特性

总输出功率,Po IF = 300 mA

150 至 170 mW

总输出功率,IF = 8 A

3500 mW

峰值发射波长,λP IF = 50 mA

880 nm

50 % 时的光谱带宽,Δλ IF = 50 mA

80 nm

半强度光束角,θ IF = 50 mA

120 °

正向电压,VF IF = 300 mA

4.5 至 5 V

反向击穿电压,VR IR = 10 µA

5 至 30 V

电容,C VR = 0 V

30 pF

上升时间

1 µsec

下降时间

1 µsec

25 ℃ 外壳条件下的Max额定值

功率耗散

2 W

连续正向电流

400 mA

峰值正向电流(10 µs,400 Hz)

8 A

反向电压

5 V

引线焊接温度(距外壳 1/16 英寸,10 s)

260 ℃

热参数

存储和工作温度范围

-55 至 100 ℃

Max结温

100 ℃

热阻,RTHJA1

60 ℃/W 典型值

热阻,RTHJA2

16 ℃/W 典型值

产品尺寸

产品应用

生物设备、航空航天、科学研究与仪器仪表


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