赛力斯自动化科技有限公司

ATN3580 系列衰减器芯片在高电阻率硅芯片上集成了薄膜电阻器，以实现衰减、紧密平坦度和高达 40 GHz 的回波损耗。该设计采用平衡 TEE 电阻结构，以确保宽带宽性能。与传统的厚膜印刷衰减器相比，薄膜技术提供了改进的功率处理能力。所有 ATN3580 衰减器芯片都指定了它们在 DC 下的衰减。此外，晶圆探针样品测试进行到 40 GHz，以确保满足平坦度规范。

• 对 40 GHz 的指定平坦响应
• 回波损耗 > 16 dB 至 40 GHz
• 提供 1–10、12、15、20、30 和 40 dB
• 功率处理至 1 W CW
• 坚固的薄膜硅芯片
• 无铅 (Pb)、符合 RoHS 标准和 Green

• 标称衰减 (dB):40
• 衰减容差@DC (dB):±1.60
• 衰减平坦度_ 0.1-12 GHz (dB):1.0
• 衰减平坦度_ 0.1-26.5 GHz (dB):2.0
• 衰减平坦度_ 0.1-40 GHz (dB):4.0
• 回波损耗_ 0.1-12 GHz (dB):23
• 回波损耗_ 0.1-26.5 GHz (dB):18
• 回波损耗_ 0.1-40 GHz (dB):15